[发明专利]基于同型异质结半导体二氧化氮气敏层的制备方法在审
| 申请号： | 201610930556.X | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106546636A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张超;罗一凡;耿欣;郑兵兵 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 南京中新达专利代理有限公司32226 | 代理人： | 孙鸥,朱杰 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于同型异质结半导体二氧化氮气敏层的制备方法。本发明氧化处理的单晶硅片Si作为绝缘基体，在绝缘基体正面制备叉指型电极和接线端，分别取硝酸锌和氯化锡的混合粉末溶于去离子水或有机溶剂中，搅拌得到均匀溶液作为前驱体，将前驱体通过非雾化喷嘴送入到由等离子喷枪产生的焰流，经过蒸发、分解、成核、加热和加速系列反应，以熔融粒子撞击在叉指型电极正上方制备得到半导体气敏涂层。本发明克服了过去方法步骤复杂、实验耗时长且效率低，且基本不能重复等缺陷。本发明具有同型异质结半导体气敏层可以实现多种同型半导体材料复合，并且制备得到的气敏材料对低浓度NO2的响应具有灵敏度高、响应速度较快等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 型异质结 半导体 二氧化氮 气敏层 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于同型异质结半导体二氧化氮气敏层的制备方法，其特征在于包含以下步骤：(1)采用氧化铝Al2O3或经过表面氧化处理的单晶硅片Si作为绝缘基体；(2)将基体进行清洗并干燥；(3)通过丝网印刷、溅射、蒸镀或喷涂方法在基体正面制备叉指型电极和接线端；(4)分别取硝酸锌和氯化锡的混合粉末溶于去离子水或有机溶剂中，利用磁力搅拌器或其它搅拌装置得到均匀溶液作为前驱体；(5)将所制备得到的溶液前驱体通过非雾化喷嘴送入到由等离子喷枪产生的焰流；(6)前驱体溶液经过蒸发、分解、成核、加热和加速系列反应，以熔融粒子撞击在叉指型电极正上方制备得到半导体气敏涂层。
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