[发明专利]一种半导体立式炉设备异常恢复的方法有效
申请号: | 201610930730.0 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN106373913B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 黄扬君;周法福;肖托;刘耀琴 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体立式炉设备异常恢复的方法,其按照半导体立式炉设备各模块属性层次架构,初始化配置承载器和晶圆信息;在工艺过程中,更新信息存储模块的所有半导体立式炉设备各模块的属性信息,同时关联传输并记录每个模块下属的所有晶圆承载器,及其各晶圆承载器内所有晶圆信息的记录文件;如果半导体立式炉设备出现异常现象,控制模块确认记录文件确定的所有晶圆承载器、各晶圆承载器内所有晶圆的状态信息以及半导体立式炉设备各模块的状态信息,并根据异常恢复规则启动异常恢复机制的处理流程,以最大程度的保护设备内的物料(晶圆和晶圆承载器),确保任何异常情况都能实现异常恢复。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 立式 设备 异常 恢复 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体立式炉设备异常恢复的方法,所述半导体立式炉设备包括外部装载台模块、缓冲仓储模块、仓储机械手模块、晶圆机械手模块、内部装载台模块和/或工艺模块,其特征在于,其还包括信息存储模块和控制模块;所述方法包括如下步骤:步骤S1:按照信息存储模块中记录的所述半导体立式炉设备各模块属性层次架构,初始化配置包含所述半导体立式炉设备个模块下属的所有承载器信息,以及各承载器内的所有晶圆信息的记录文件;步骤S2:在工艺过程中,更新信息存储模块的所有所述半导体立式炉设备各模块的属性信息,同时关联传输并记录每个模块下属的所有晶圆承载器,及其各晶圆承载器内所有晶圆信息的记录文件;步骤S3:如果所述半导体立式炉设备出现异常现象,所述控制模块确认所述记录文件确定的所有晶圆承载器、各晶圆承载器内所有晶圆的状态信息以及所述半导体立式炉设备各模块的状态信息,并根据异常恢复规则启动异常恢复机制的处理流程;其中,所述处理流程按照先执行晶圆承载器回收操作再执行晶圆正常卸载操作的原则,将散落分布在所述晶圆机械手模块、内部装载台模块和工艺模块中的晶圆和晶圆承载器收回到所述缓冲仓储模块中;其中,所述步骤S3具体包括:步骤S31:所述控制模块确认所述记录文件确定的所有晶圆承载器、各晶圆承载器内所有晶圆的状态信息;步骤S32:所述控制模块确认所述半导体立式炉设备各模块的状态信息;如果所述晶圆机械手模块、内部装载台模块和工艺模块中的某一个或多个模块有问题;执行步骤S33;否者,执行步骤S34;步骤S33:根据有问题的所述晶圆机械手模块、内部装载台模块和/或工艺模块中散落分布的晶圆和晶圆承载器冗余部件优先使用原则,配备所述异常恢复机制处理流程所使用的部件;步骤S34:将所述仓储机械手模块上的晶圆承载器全部送回到所述缓冲仓储模块中;步骤S35:将所述内部装载台模块恢复到初始状态;步骤S36:将所述内部装载台模块上的晶圆承载器全部送回到所述缓冲仓储模块中;步骤S37:按照根据半导体立式炉设备工艺特点确定的所述异常恢复规则,将所述晶圆机械手模块和工艺模块所有晶圆通过所述晶圆承载器和所述内部装载台模块的配合送回到所述缓冲仓储模块中;步骤S38:结束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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