[发明专利]一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器有效
| 申请号： | 201610930814.4 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106451074B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 王东博;刘舒曼;贾志伟;刘峰奇;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/223;H01S5/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器结构。所述器件结构包括：一衬底(01)；一下波导包层(02)；一下限制层(03)；一级联结构有源区(04)；一上限制层(05)；一上波导包层(06)；一接触层(07)；一横向分别限制层(08)；一半绝缘InP层(09)；一SiO2钝化层(10)；一正面电极(11)；一背面电极(12)。其中横向分别限制层(08)由掺Fe的半绝缘InGaAs构成，其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同。从接触层(07)到下波导包层(02)刻蚀出双沟窄脊台面，在双沟中填入半绝缘InP，为有源区提供横向散热通道；正面电极(11)与接触层(07)形成欧姆接触用于电注入，背面电极(12)与衬底(01)形成欧姆接触用于另一电注入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波导 优化 掩埋 异质结 量子 级联 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种波导优化的掩埋异质结量子级联激光器，包括：衬底，衬底之上依次为下波导包层、下限制层、级联结构有源区、上限制层、上波导包层及接触层，在接触层与下波导包层之间存在双沟窄脊台面，双沟中填入半绝缘InP层，为有源区提供横向散热通道；在其特征在于，还包括:横向分别限制层，位于双沟的底部，半绝缘InP层的下方，用于增强横向光模式限制，其中，所述的横向分别限制层内填充材料为高折射率半绝缘材料，该高折射率半绝缘材料包括掺Fe的半绝缘InGaAs，其厚度因激光器脊宽和激射波长的不同而不同，并且有效折射率高于有源区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610930814.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：表面发射激光器元件和原子振荡器
- 下一篇：一种半导体激光器芯片及其制备方法
