[发明专利]生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201610931033.7 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106374023B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;杨美娟 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米阵列LED生长与制备的技术领域，公开了生长在镓酸锂衬底上的纳米柱LED及其制备方法。所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的GaN纳米柱阵列，生长在GaN纳米柱阵列上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层；所述GaN纳米柱阵列为非极性GaN纳米柱阵列。本发明所选择的镓酸锂衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所获得的非极性纳米柱LED的缺陷密度低、电学和光学性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 镓酸锂 衬底 极性 纳米 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED，其特征在于：包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的GaN纳米柱阵列，生长在GaN纳米柱阵列上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层；所述GaN纳米柱阵列为非极性GaN纳米柱阵列；所述LiGaO2衬底以(100)面偏(110)方向0.2～1°为外延面；所述GaN纳米柱阵列是由生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN缓冲层制备而成的；所述非极性GaN缓冲层是非极性面GaN，晶体外延取向关系为：GaN的(1‑100)面平行于LiGaO2的(100)面；所述非极性GaN缓冲层是采用PLD技术来实现低温下在LiGaO2衬底上外延生长，衬底温度为150～250℃。
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