[发明专利]基于量子阱结构量子点的白光QLED器件及制备方法

摘要

本发明公开基于量子阱结构量子点的白光QLED器件及制备方法，器件从下至上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，所述量子点发光层的材料为量子阱结构的单白光量子点，所述单白光量子点的阱材料中掺杂红绿蓝三种发光体或者所述单白光量子点为多层量子阱结构量子点。本发明利用基于量子阱结构的单白光量子点材料作为发光体，获得高效的白光QLED器件，一方面器件结构简单，无需采用堆叠工艺，另一方面不存在不同颜色发光体之间的能量传递，减少损耗的问题。本发明可明显改善器件在使用过程中由于不同发光体稳定性不同造成的白光色坐标漂移的问题。

主权项

1.一种基于量子阱结构量子点的白光QLED器件，其特征在于，从下至上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，所述量子点发光层的材料为量子阱结构的单白光量子点，所述单白光量子点为具有多个量子阱层结构的量子点，且所述具有多个量子阱层结构的量子点内包括有发红光的量子阱层、发绿光的量子阱层和发蓝光的量子阱层。