[发明专利]一种羟基瓜环/氧化石墨烯复合材料及其制备方法在审
申请号: | 201610931729.X | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN106492757A | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 邵浪;任一鸣 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院材料研究所 |
主分类号: | B01J20/22 | 分类号: | B01J20/22;B01J20/30 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人: | 沈强 |
地址: | 621700 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种羟基瓜环/氧化石墨烯复合材料及其制备方法,目的在于解决现有基于羟基瓜环的复合材料的制备方法较为繁琐的问题。本发明在室温条件下,羟基瓜环与氧化石墨烯在一定的有机溶剂中通过原位合成,制备出羟基瓜环/氧化石墨烯复合材料。该方法具有操作简单、方便、快捷的优点,能够有效解决现有方法所存在的操作较为繁琐的问题,满足工厂化生产的需求。同时,所制备的复合材料中,羟基瓜环与氧化石墨烯具有氢键相互作用,瓜环以分子形态通过氢键固定于氧化石墨烯表面,其具有较好的吸附铀酰离子的能力。本发明的制备方法简单、快捷、操作方便,所制备的材料具有较好的铀酰离子吸附能力,具有潜在的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 羟基 氧化 石墨 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种羟基瓜环/氧化石墨烯复合材料,其特征在于,包括如下质量百分比的组分:羟基瓜环 1% ~ 20%;氧化石墨烯 余量;所述羟基瓜环与氧化石墨烯通过氢键相互作用相连,所述羟基瓜环以分子形态分散于氧化石墨烯表面。
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