[发明专利]生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201610931958.1 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106384762B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;杨美娟 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米柱LED制备的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED及其制备方法。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模板，生长在GaN纳米柱模板上的AlN/GaN超晶格层，生长在AlN/GaN超晶格层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层。本发明的衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所得的纳米柱LED的缺陷密度低、电学和光学性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 铝酸锶钽镧 衬底 纳米 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED，其特征在于：包括La0.3Sr1.7AlTaO6衬底，生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模板，生长在GaN纳米柱模板上的AlN/GaN超晶格层，生长在AlN/GaN超晶格层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层；所述La0.3Sr1.7AlTaO6衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面；晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于La0.3Sr1.7AlTaO6的(111)面；AlN成核层外延生长：采用PLD技术，衬底温度调为450～550℃。
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