[发明专利]薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201610932307.4 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108023016B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李东琦;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/30;H01L51/05;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供一栅极，在所述栅极的表面设置一绝缘层；提供一碳纳米管膜，铺设该碳纳米管膜于一所述绝缘层表面；将所述碳纳米管膜置于扫描电镜下拍摄照片，区分该碳纳米管膜中的金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管；除去碳纳米管膜中的金属型碳纳米管，形成一半导体层；间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与所述半导体层电连接，得到一薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一栅极，在所述栅极的表面设置一绝缘层；提供一碳纳米管膜，铺设该碳纳米管膜于一所述绝缘层表面；将所述碳纳米管膜置于扫描电镜下拍摄照片，区分该碳纳米管膜中的金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管；除去碳纳米管膜中的金属型碳纳米管，形成一半导体层；以及间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与所述半导体层电连接，得到一薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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