[发明专利]一种基于微纳结构的光刻方法

摘要

本发明涉及激光器光刻技术领域，提供了一种基于微纳结构的光刻方法。所述方法包括根据光刻的图案和微纳材料，设定激光器；动态调整激光器的光功率和/或脉冲时间；选择第一腐蚀剂，刻蚀微纳材料层中晶化区域；选择第二腐蚀剂，刻蚀沉积态的微纳材料和基座，在基座上形成相应三维图形。本发明实施例利用基于微纳材料(也称为相变材料)的热光刻技术实现了一种快速制备三维微纳结构的方法，能够实现连续作业，性价比高，操作简单，对环境要求宽松，并且可以在系统上增加微透镜阵列以增加产出率，实用性强。

主权项

1.一种基于微纳结构的光刻方法，其特征在于，所述光刻方法包括：根据光刻的图案和微纳材料，设定激光器；动态调整激光器的光功率和/或脉冲时间，使得基座上沉积的微纳材料层中晶化区域满足三维图形指定的深度和宽度；在微纳材料层中对应三维图形边界区域采用聚焦工作模式，实现各焦点位置微纳材料的晶化；对于三维图形的内部区域采用直写工作模式来完成维纳材料的晶化；其中，所述聚焦工作模式还用于为后续通过直写工作模式完成的三维图形的内部区域的晶化处理，预置衔接基座；其中，所述聚焦工作模式，是通过焦点处产生能够达到晶化的温度，来实现精细化的晶化处理；所述直写工作模式是利用激光器在设定的离焦量参数值下，其工作面形成于微纳材料层表面，并通过微纳材料层表面逐渐将晶化的温度传导至微纳材料层指定深度的方式；选择第一腐蚀剂，刻蚀微纳材料层中晶化区域；选择第二腐蚀剂，刻蚀沉积态的微纳材料和基座，在基座上形成相应三维图形。