[发明专利]OLED显示器有效
申请号: | 201610933085.8 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN106328825B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 崔磊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种OLED显示器,其薄膜封装层包括无机钝化层、有机缓冲层、及水氧淬灭层,其中,所述无机钝化层和有机缓冲层共同构成层叠结构,所述水氧淬灭层为位于所述层叠结构与OLED层之间第一水氧淬灭层、或位于层叠结构中两层无机钝化层之间的第二水氧淬灭层、或两者的组合,所述薄膜封装层中,水氧淬灭层在不影响OLED器件发光性能的前提下,通过物理吸附或者化学反应,并与无机钝化层、有机缓冲层协同作用,能够有效地避免水氧对OLED器件的损坏,从而提升OLED器件的使用寿命,同时还能够起到释放无机钝化层应力的作用,减少薄膜封装层的层数和厚度,从而整体减薄OLED显示器厚度,提升柔性的OLED显示器的弯折性能。 | ||
搜索关键词: | oled 显示器 | ||
【主权项】:
1.一种OLED显示器,其特征在于,包括衬底基板(100)、设于所述衬底基板(100)上的TFT阵列层(200)、设于所述TFT阵列层(200)上的OLED层(300)、及设于所述TFT阵列层(200)及OLED层(300)上且覆盖所述OLED层(300)的薄膜封装层(400);所述薄膜封装层(400)包括无机钝化层(401)、有机缓冲层(402)、及水氧淬灭层(403);所述薄膜封装层(400)中,无机钝化层(401)和有机缓冲层(402)交替层叠设置,且无机钝化层(401)比有机缓冲层(402)在层数上多一层,所述无机钝化层(401)和有机缓冲层(402)共同构成层叠结构;所述水氧淬灭层(403)为第一水氧淬灭层(4031)、或第一水氧淬灭层(4031)与第二水氧淬灭层(4032)的组合,其中,所述第一水氧淬灭层(4031)设于所述OLED层(300)上,位于所述层叠结构与OLED层(300)之间,所述第二水氧淬灭层(4032)设于所述层叠结构之中,位于两层无机钝化层(401)之间;所述OLED显示器具有位于中央的显示区域、及位于显示区域四周的非显示区域,所述显示区域具有数个阵列排布的子像素区域、及剩余的间隔区域;所述第一水氧淬灭层(4031)包括环状的外围部、及位于环状的外围部内的中心部,所述外围部对应所述非显示区域设置,所述中心部分布于所述显示区域内的间隔区域,所述中心部为分布于间隔区域的数个淬灭个体的组合;所述第一水氧淬灭层(4031)的材料为碱金属、碱土金属、或者两者的合金;所述淬灭个体的形状为圆形、矩形、或L字形;每一淬灭个体对应于一个、或者多个子像素区域,或者每一个子像素区域对应于多个淬灭个体;所述OLED层(300)包括数个OLED器件,每一OLED器件包括由上至下依次排列的阳极、有机层(301)及阴极(302),其中,所述数个OLED器件的阴极(302)为整面结构,所述阴极(302)的四侧边缘由显示区域延伸至非显示区域;所述第一水氧淬灭层(4031)的外围部整面覆盖所述阴极(302)在非显示区域的部分;第一水氧淬灭层(4031)比阴极(302)、及有机层(301)的化学活性更高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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