[发明专利]一种提高晶圆表面平整度的湿法刻蚀装置在审
| 申请号： | 201610933275.X | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106409729A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李俊;张颂周;杨志 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及湿法刻蚀技术领域，尤其涉及一种提高晶圆表面平整度的湿法刻蚀装置，包括至少一个酸碱槽，用于盛放酸碱液，以对晶圆进行湿法刻蚀；若干齿轮，设置于所述酸碱槽的底部，所述齿轮的齿口尺寸与所述晶圆的厚度匹配，以用于咬合所述晶圆；制动装置，与所述齿轮连接，以驱动所述齿轮带动所述晶圆旋转，使所述晶圆在放入和取出所述酸碱槽的过程中各部位接触所述酸碱液的时间一致，以提高所述晶圆的表面平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 表面 平整 湿法 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种提高晶圆表面平整度的湿法刻蚀装置，其特征在于，包括：至少一个酸碱槽，用于盛放酸碱液，以对晶圆进行湿法刻蚀；若干齿轮，设置于所述酸碱槽的底部，所述齿轮的齿口尺寸与所述晶圆的厚度匹配，以用于咬合所述晶圆；制动装置，与所述齿轮连接，以驱动所述齿轮带动所述晶圆旋转，使所述晶圆在放入和取出所述酸碱槽的过程中各部位接触所述酸碱液的时间一致，以提高表面平整度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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