[发明专利]一种Ca3Si薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610935012.2 申请日: 2016-11-01
公开(公告)号: CN106480419A 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 温翠莲;熊锐;萨百晟;杨洪雷 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/14;C23C14/06;C23C14/58
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种Ca3Si薄膜的制备方法。在本底真空度为6.5×10‑4 Pa,工作气体为高纯Ar气,采用磁控溅射沉积法在绝缘衬底上进行双靶循环溅射,一靶位放Ca靶,电源选用射频电源;另一靶位放Si单质靶,电源选用直流电源;先镀Ca层,接着镀Si层,以此为一周期;按此周期循环多次,从而得到具有叠层结构的薄膜,最后采用原位热处理获得Ca3Si薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺具有工艺简单、成本低等优势,可满足大规模生产需要。
搜索关键词: 一种 ca3si 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种Ca3Si薄膜的制备方法,其特征在于:采用磁控溅射沉积法在绝缘衬底上进行双靶循环溅射,其中,一靶位放Ca靶,电源选用射频电源;另一靶位放Si单质靶,电源选用直流电源;先镀Ca层,接着镀Si层,以此为一周期;按此周期循环多次,从而得到具有叠层结构的薄膜,最后采用原位热处理获得Ca3Si薄膜。
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