[发明专利]一种等离子体处理装置在审

专利信息
申请号: 201610935178.4 申请日: 2016-11-01
公开(公告)号: CN108024436A 公开(公告)日: 2018-05-11
发明(设计)人: 倪图强;左涛涛;吴狄;刘身健 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H05H1/16 分类号: H05H1/16
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 尹兵;苗绘
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种等离子体处理装置,施加射频电源的电感线圈中,包含串联的输入线圈、底层线圈、输出线圈,通过所述底层线圈上穿过上表面至下表面的通孔或通槽,将上方输入线圈和/或输出线圈在底层线圈上感应生成电涡流的回路截断,对底层线圈与其下方加热器之间的耦合面积进行缩减,减少射频能量的不必要损耗,并且使所述风扇的吹风能够经过电感线圈周边及贯通结构到达介电窗及加热器实施冷却,有效提升原先被电感线圈遮挡区域的局部散热效果。
搜索关键词: 一种 等离子体 处理 装置
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包含引入反应气体的反应腔,所述反应腔的腔体内设有底部基座来放置待处理的基板;所述腔体的侧壁上设有腔盖,所述腔盖上设有介电窗,该介电窗设置有加热器;所述介电窗上设置有电感线圈,所述电感线圈的数量是一个或多个;所述电感线圈上方设置有风扇;任意一个所述电感线圈包含底层线圈,及位于底层线圈上方的连接射频电源的输入线圈和接地的输出线圈,所述输入线圈、底层线圈、输出线圈相互隔开并通过接线部件进行串联;所述底层线圈开设有穿过该底层线圈上表面至下表面的若干贯通结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610935178.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top