[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201610935251.8 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108022965B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，形成方法包括：形成衬底以及位于衬底上呈阵列式排布的多个鳍部，鳍部延伸方向为第一方向，垂直于鳍部延伸方向的为第二方向；在鳍部之间形成隔离材料层，位于第一方向鳍部之间的隔离材料层为隔离层；在隔离层上形成具有第一开口的紫外吸收层；通过紫外硬化处理硬化第一开口底部露出的隔离层，形成初始台阶层；去除紫外吸收层；回刻隔离材料层形成隔离结构，回刻隔离材料层的过程中减薄初始台阶层形成台阶层；在鳍部上形成栅极结构，所述栅极结构横跨鳍部并覆盖鳍部部分顶部和侧壁表面，在形成栅极结构的过程中，在所述台阶层上形成伪栅结构。本发明提供的技术方案，提高了晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上具有呈阵列式排布的多个鳍部，鳍部延伸方向为第一方向，垂直于鳍部延伸方向的为第二方向；在所述第一方向的鳍部之间、以及第二方向的鳍部之间形成隔离材料层，位于第一方向鳍部之间的隔离材料层为隔离层；在所述隔离层上形成具有第一开口的紫外吸收层，所述第一开口露出隔离层的顶部表面；通过紫外硬化处理硬化第一开口底部露出的隔离层，形成初始台阶层；去除所述紫外吸收层；回刻所述隔离材料层形成隔离结构，所述隔离结构露出所述鳍部的部分侧壁表面，回刻所述隔离材料层的过程中减薄所述初始台阶层形成台阶层，且回刻步骤对所述隔离材料层的去除速率大于对所述初始台阶层的去除速率；在所述鳍部上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部并覆盖所述鳍部部分顶部和侧壁表面，在形成所述栅极结构的过程中，在所述台阶层上形成伪栅结构。
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