[发明专利]钛基底上四氧化三铁@二氧化钛纳米棒阵列电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201610935364.8 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN106531989B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 刘金平;李睿智 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/52;H01M4/62;H01M10/0525;H01G11/46;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及钛基底上四氧化三铁@二氧化钛纳米棒阵列电极及其制备方法。一种钛基底上四氧化三铁@二氧化钛纳米棒阵列电极，其特征在于：所述电极由钛金属基底和钛金属基底上生长的四氧化三铁@二氧化钛复合纳米棒阵列构成，其中单根复合纳米棒的直径为85～115纳米，垂直、均匀、密集地分布在钛金属基底表面，呈现阵列形式，二氧化钛包覆在四氧化三铁的外表面。本发明提供的钛基底上四氧化三铁@二氧化钛纳米棒阵列电极的二氧化钛保护层能大幅提高电极的循环性能，有效抑制电解液中水电解的副反应，提高电极容量，使电化学性能大幅提高，特别是出众的循环性能；可用作水系混合超级电容器(或者其他混合电化学储能器件)负极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 氧化 纳米 阵列 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钛基底上四氧化三铁@二氧化钛纳米棒阵列电极，其特征在于：所述电极由钛金属基底和钛金属基底上生长的四氧化三铁@二氧化钛复合纳米棒阵列构成，其中单根复合纳米棒的直径为85～115纳米，垂直、均匀、密集地分布在钛金属基底表面，呈现阵列形式，二氧化钛包覆在四氧化三铁的外表面，厚度为5‑14nm; 所述的二氧化钛是采用原子层沉积技术沉积在钛基底上生长的四氧化三铁纳米棒阵列上。
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