[发明专利]一种半导体芯片的通孔链结构阻值异常的定位方法

摘要

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体芯片的通孔链结构阻值异常的定位方法，定义处于所述预定位置的所述通孔链为待测试链，暴露所述待测试链两端的金属线；测试所述通孔链两端的所述金属线之间的电阻以得到第一测试阻值；于所述待测试链上定义预定数量的等长测试段，暴露每个所述测试段两端的金属线；测试每个所述测试段两端的所述金属线之间的第二测试阻值，根据所述第一测试阻值及所述第二测试阻值，确定阻值异常的通孔所在的所述测试段,本发明方法是一种针对于通孔链结构中阻值增加幅度不大的失效情况阻值异常通孔的定位方法，方法简单，易于操作且定位准确。

主权项

1.一种半导体芯片的通孔链结构阻值异常的定位方法，其特征在于，提供一具有通孔链的待测试结构，还包括以下步骤：步骤S1、暴露所述待测试结构上的通孔链中一预定位置的通孔的上层金属；步骤S2、定义处于所述预定位置的所述通孔链为待测试链，暴露所述待测试链两端的金属线；步骤S3、测试所述通孔链两端的所述金属线之间的电阻以得到第一测试阻值；步骤S4、于所述待测试链上定义预定数量的等长测试段，暴露每个所述测试段两端的金属线；步骤S5、测试每个所述测试段两端的所述金属线之间的第二测试阻值，根据所述第一测试阻值及所述第二测试阻值，确定阻值异常的通孔所在的所述测试段；步骤S6、判断阻值异常的通孔所在的所述测试段中的通孔数量，如所述通孔数量为1则测试结束，退出；步骤S7、,将所述阻值异常的通孔所在的所述测试段定义为待测试链，并将所述待测试链对应的所述第二测试阻值赋值给所述第一测试阻值，返回所述步骤S4。