[发明专利]一种低噪声放大器及其控制方法有效
| 申请号： | 201610935564.3 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN107040225B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 叶天翔;张亚朋;郑哲;姜学平;张威龙;王亮;乔磊 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网天津市电力公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102200 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低噪声放大器及其控制方法，其特征在于，所述低噪声放大器包括第一NMOS晶体管单元、第二NMOS晶体管单元、PMOS晶体管单元和输出级电路；第一NMOS晶体管单元的栅极连接低噪声放大器的输入端，源极连接电流源后接地，漏极分别与第二NMOS晶体管单元的栅极和输出级电路连接；第二NMOS晶体管的源极与输入端连接，漏极与输出级电路连接；PMOS晶体管单元的栅极与输入端连接，源极连接于输出级电路与第二NMOS晶体管单元的漏极之间，漏极连接于第一NMOS晶体管单元的漏极与第二NMOS晶体管单元的栅极之间。与现有技术相比，本发明提供的一种低噪声放大器及其控制方法，可以分别对低噪声放大器的噪声系数、带宽、增益和输入阻抗匹配进行独立优化调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低噪声放大器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器包括第一NMOS晶体管单元、第二NMOS晶体管单元、PMOS晶体管单元和输出级电路；所述第一NMOS晶体管单元的栅极连接所述低噪声放大器的输入端，源极连接电流源后接地，漏极分别与所述第二NMOS晶体管单元的栅极和所述输出级电路连接；所述第二NMOS晶体管的源极与所述输入端连接，漏极与所述输出级电路连接；所述PMOS晶体管单元的栅极与所述输入端连接，源极连接于所述输出级电路与第二NMOS晶体管单元的漏极之间，漏极连接于所述第一NMOS晶体管单元的漏极与第二NMOS晶体管单元的栅极之间。
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