[发明专利]一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器有效
| 申请号： | 201610935638.3 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106411268B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 滑育楠;邬海峰;胡柳林;陈依军;廖学介;吕继平;童伟;刘莹 | 申请（专利权）人： | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/14 | 分类号： | H03F1/14;H03F3/193;H03F3/21 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 杨浩林 |
| 地址： | 610016 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器，包括分布式二堆叠HiFET放大网络、偏置电压、考虑密勒效应的栅极人工传输线及考虑密勒效应的漏极人工传输线，本发明核心架构采用分布式二堆叠HiFET放大网络,分布式二堆叠HiFET放大网络至少由三个二堆叠HiFET结构组成；同时，本发明考虑了二晶体管堆叠结构的密勒效应对于人工传输线的等效电容的影响，提高了电路设计的精确性，降低了电路后期调试的难度，使得整个功率放大器获得了良好的宽带功率输出能力和功率增益能力，避免了集成电路工艺的低击穿电压特性，提高电路的稳定性与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 考虑 效应 分布式 堆叠 结构 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器，其特征在于，包括分布式二堆叠HiFET放大网络、偏置电压、考虑密勒效应的栅极人工传输线及考虑密勒效应的漏极人工传输线，所述分布式二堆叠HiFET放大网络由k个二堆叠HiFET结构组成，其中k大于等于3；所述二堆叠HiFET结构由两个晶体管按照源极漏极相连堆叠构成，所述二堆叠HiFET结构的最底层的晶体管的源极接地，栅极通过并联的RC稳定电路接到所述考虑密勒效应的栅极人工传输线；所述二堆叠HiFET结构的最上层的晶体管的栅极通过馈电电阻连接到所述偏置电压，同时，所述栅极连接由栅极补偿电容接地组成的补偿电路，漏极和源极之间并联高频补偿电容，漏极连接到所述考虑密勒效应的漏极人工传输线。
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