[发明专利]制作场效晶体管的方法在审
| 申请号： | 201610937094.4 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107623037A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 吕芳谅;刘致为;刘继文;黄仕贤;翁翊轩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 于制作场效晶体管的方法中，由第一半导体材料所制成的鳍片式结构是形成，以使鳍片式结构从设置于基材上的隔离绝缘层突伸出。栅极结构是形成于鳍片式结构的一部分上，而定义出通道区域、源极区域和漏极区域于鳍片式结构中。于栅极结构形成后，激光退火是进行于鳍片式结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种制作场效晶体管的方法，其特征在于，该制作场效晶体管的方法包含：形成由第一半导体材料所制成的一鳍片式结构，其中该鳍片式结构从设置于一基材上的一隔离绝缘层突伸出；形成一栅极结构于该鳍片式结构的一部分上，而定义出一通道区域、一源极区域和一漏极区域于该鳍片式结构中；以及于该栅极结构形成后，进行激光退火于该鳍片式结构上。
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