[发明专利]多栅极元件在审
| 申请号： | 201610937203.2 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106816471A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;黄靖方;卡罗司·迪亚兹;王志豪;谢文兴;梁英强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多栅极元件，包含设置于基板上的源极/漏极特征。源极/漏极特征包含第一纳米线、设置于第一纳米线上的第二纳米线、设置于第一纳米线及第二纳米线上的包覆层以及自第一纳米线延伸至第二纳米线的间隔层。元件亦包含直接设置于源极/漏极特征上的导电特征，以使得导电特征实体接触包覆层及间隔层。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 元件 | ||
【主权项】：
一种多栅极元件，其特征在于，包含：一源极/漏极特征，设置于一基板上，该源极/漏极特征包含：一第一纳米线；一第二纳米线，设置于该第一纳米线上；一包覆层，设置于该第一纳米线及该第二纳米线上；以及一间隔层，自该第一纳米线延伸至该第二纳米线；以及一导电特征，直接设置于该源极/漏极特征上，以使得该导电特征与该包覆层及该间隔层实体接触。
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