[发明专利]一种考虑密勒效应的分布式三堆叠结构的功率放大器有效

专利信息
申请号: 201610937581.0 申请日: 2016-10-24
公开(公告)号: CN106487338B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 邬海峰;滑育楠;陈依军;廖学介;吕继平;胡柳林;童伟;叶珍 申请(专利权)人: 成都嘉纳海威科技有限责任公司
主分类号: H03F1/14 分类号: H03F1/14;H03F3/193;H03F3/21
代理公司: 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 代理人: 杨浩林
地址: 610016 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种考虑密勒效应的分布式三堆叠结构的功率放大器,包括分布式三堆叠放大网络、考虑密勒效应的栅极人工传输线、考虑密勒效应的漏极人工传输线、第一偏置电压及第二偏置电压,本发明核心架构采用分布式三堆叠放大网络,分布式三堆叠放大网络至少由三个三晶体管堆叠结构组成,同时,本发明考虑了三晶体管堆叠结构的密勒效应对于人工传输线的等效电容的影响,提高了电路设计的精确性,降低了电路后期调试的难度,使得整个功率放大器获得了良好的宽带功率输出能力和功率增益能力,避免了集成电路工艺的低击穿电压特性,提高电路的稳定性与可靠性。
搜索关键词: 一种 考虑 效应 分布式 堆叠 结构 功率放大器
【主权项】:
一种考虑密勒效应的分布式三堆叠结构的功率放大器,其特征在于,包括分布式三堆叠放大网络、考虑密勒效应的栅极人工传输线、考虑密勒效应的漏极人工传输线、第一偏置电压及第二偏置电压,所述分布式三堆叠放大网络由k个三晶体管堆叠结构组成,其中k大于等于3,所述三晶体管堆叠结构由三个晶体管按照源极漏极相连堆叠构成,所述三晶体管堆叠结构的最底层的晶体管的源极接地,栅极通过并联的RC稳定电路连接到所述考虑密勒效应的栅极人工传输线,所述三晶体管堆叠结构的中间层的晶体管的栅极通过馈电电阻连接到所述第一偏置电压,同时,所述栅极连接补偿电路;所述三晶体管堆叠结构的最上层的晶体管的栅极通过分压电阻连接到所述第二偏置电压,同时,所述栅极连接补偿电路;漏极连接到所述考虑密勒效应的漏极人工传输线。
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