[发明专利]芯片级差分输出型电磁辐射测量标准单元结构在审
| 申请号： | 201610937683.2 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106449457A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 赵毅强;何家骥;刘燕江;王佳;刘阿强 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及专用集成电路芯片技术领域，为能够在芯片级对专用集成电路芯片的电磁辐射情况进行测量。本发明采用的技术方案是，芯片级差分输出型电磁辐射测量标准单元结构，由电源环为起点的金属线顺时针由外向内环形走线，在环形走线进入到核心位置以后，通过不同金属层之间的通孔，从第二层金属将连接线连接回到电源环上，该线圈的输出Output 1从第三层金属引出，进行电磁辐射测量时，Output 1、Output 2形成差分输出。本发明主要应用于集成电路芯片设计制造场合。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 级差 输出 电磁辐射 测量 标准 单元 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片级差分输出型电磁辐射测量标准单元结构，其特征是，由电源环为起点的金属线顺时针由外向内环形走线，在环形走线进入到核心位置以后，通过不同金属层之间的通孔，从第二层金属将连接线连接回到电源环上，该线圈的输出Output 1从第三层金属引出，在未受到电磁辐射时，Output 1保持为高电平；由地线环为起点另一条金属线逆时针由外向内环形走线，在环形走线进入到核心位置以后，通过不同金属层之间的通孔，从第二层金属将连接线连接回到地线环上，该线圈的输出从第三层金属引出，在未受到电磁辐射时，Output 2保持为零电平；进行电磁辐射测量时，Output 1、Output 2形成差分输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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