[发明专利]一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置

摘要

本发明公开了一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置，包括，外部的炉体以及内部的同轴坩埚，隔热屏，同轴放置于坩埚与隔热屏之间的单段式加热器，以及同轴放置于坩埚与单段式加热器之间的变截面筒状结构，用于在传导过程中沿轴线方向产生由上至下逐渐增大的热阻，进而形成均匀的轴向温度梯度，使底部的籽晶开始逐渐向上生长晶体。本发明避免了使用多段式加热时，段与段之间轴向温度与段内部轴向温度不连续、不均匀，减少此处温度起伏，进而减少孪晶的生长，且控制系统和方法简单。

主权项

1.一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置，包括，外部的炉体以及内部的同轴坩埚，炉体侧壁与坩埚之间固定连接有隔热屏，坩埚内部放置有多晶料，底部放置有籽晶，坩埚下方安装有测温元件，多晶料上部放有氧化硼，其特征在于，还包括：单段式加热器，所述单段式加热器为单段电阻式杯状加热器，同轴放置于所述坩埚与所述隔热屏之间，与炉体固定连接，用于加热多晶态InP并提供晶体生长所需热能；以及筒状结构，用于在传导过程中产生热阻，同轴放置于所述坩埚与所述单段式加热器之间，且所述筒状结构与所述坩埚和所述单段式加热器均不接触，所述筒状结构的外壁面与所述单段式加热器的壁面平行，高度高于所述单段式加热器，垂直于轴线的剖截面为圆环状，壁面厚度沿轴线方向由上至下逐渐增加，产生的热阻由上至下逐渐增大；所述筒状结构的上端面高于所述坩埚顶部，且固定连接有保温盖；位于所述炉体顶部的上盖开有通孔，所述保温盖的上表面固定连接有多个导柱，所述导柱穿过所述通孔与导柱驱动板固定连接；所述炉体顶部的上盖安装有直线驱动器及配套的滑块，所述滑块与所述导柱驱动板固定连接；通过所述直线驱动器驱动所述滑块上下移动，带动所述筒状结构同步上下移动；还包括控制器，用于根据测温元件所测温度来控制所述滑块上下移动。