[发明专利]一种高饱和磁化强度锰铋永磁合金薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610937774.6 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106544630B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 吴琼;葛洪良;张朋越;杨洋 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/18 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 杜立 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高饱和磁化强度锰铋永磁合金薄膜的制备方法，包括如下步骤：1）配料：按照名义成分MnyBi100‑y，摩尔分数y=45,50,55，采用纯度为99.99%以上的Mn、Bi合金进行称重配料；2）熔炼：采用电弧熔炼法将已配好的原料放入在氩气保护下的电弧熔炉中，熔炼得到MnyBi100‑y合金铸锭；3）铸锭热处理；将该铸锭放入真空退火炉中进行真空退火热处理；4）镀膜：采用电子束蒸发沉积方法，以热处理后的铸锭为靶材，以硅片为基片，以钽为缓冲层和防氧化层，制备MnyBi100‑y合金薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 饱和磁化强度 永磁 合金 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高饱和磁化强度锰铋永磁合金薄膜的制备方法，包括如下步骤：1）配料：按照名义成分MnyBi100‑y，摩尔分数y=45, 50, 55，采用纯度为99.99%以上 的Mn、Bi合金进行称重配料；2）熔炼：采用电弧熔炼法将已配好的原料放入在氩气保护下的电弧熔炉中，熔炼得到MnyBi100‑y合金铸锭；3）铸锭热处理；将该铸锭放入真空退火炉中进行真空退火热处理；4）镀膜：采用电子束蒸发沉积方法，以热处理后的铸锭为靶材，以硅片为基片，以钽为缓冲层和防氧化层，制备MnyBi100‑y合金薄膜；步骤（4）中电子束蒸发沉积工艺条件如下：镀膜前真空度10‑3Pa，沉积过程中真空室压强为4×10‑2 Pa，电子枪的束流为100mA，基底的温度维持在100~200℃之间；先沉积5min的钽缓冲层，合金靶材的沉积时间为10~20min，最后再沉积5min的钽防氧化层，膜厚仪测得薄膜膜厚300~700nm，沉积结束后，薄膜自然冷却至室温。
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