[发明专利]一种封装基板及其制作方法、集成电路芯片有效
| 申请号： | 201610937783.5 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106356360B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 符会利;郭健炜;刘铁军 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种封装基板及其制作方法、集成电路芯片，可降低高频信号或高速信号在封装基板内传输时产生的链路损耗。该封装基板包括相对设置的第一参考层和第二参考层，该第一参考层靠近该第二参考层的一侧设置有第一复合层，该第二参考层靠近该第一参考层的一侧设置有第二复合层，该第一复合层与该第二复合层之间压合有金属走线；其中，该第一复合层和该第二复合层均包括相对且接触设置的第一介质层和第二介质层，该第一介质层与该金属走线接触；并且，该第二介质层的刚度大于该第一介质层的刚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 及其 制作方法 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种封装基板，其特征在于，所述封装基板包括相对设置的第一参考层和第二参考层，所述第一参考层靠近所述第二参考层的一侧设置有第一复合层，所述第二参考层靠近所述第一参考层的一侧设置有第二复合层，所述第一复合层与所述第二复合层之间压合有金属走线；所述第一复合层和所述第二复合层均包括相对且接触设置的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层与所述金属走线接触；其中，所述第二介质层的刚度大于所述第一介质层的刚度。
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