[发明专利]非接触式晶圆退火装置及其退火方法有效
申请号: | 201610937787.3 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN106409730A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 杨翠柏;杨光辉;陈丙振;方聪 | 申请(专利权)人: | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 陈英俊,许向彤 |
地址: | 100080 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种非接触式晶圆退火装置及其退火方法,所述退火设备包括晶圆、气浮载台、光源、红外测温探头及控制器,其中,气浮载台均匀密布多个气孔,气体从所述气孔通入,形成气垫,支撑所述晶圆;光源设置在晶圆的正上方,通过辐射对晶圆进行加热;红外测温探头设置在气浮载台正下方,通过设置在气浮载台直径处的测温孔测量晶圆温度;控制器与红外测温探头相连。采用本发明操作简便,退火温度均匀,测量精度高,能够避免晶圆损伤且在不损伤晶圆已成型的正面及边缘的同时可以对晶圆背面进行退火,且能实现自动化操作。 | ||
搜索关键词: | 接触 式晶圆 退火 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种非接触式晶圆退火装置,其特征在于:包括晶圆、气浮载台、光源、红外测温探头以及控制器,其中:所述气浮载台均匀密布多个气孔,气体从所述气孔通入,形成气垫,用于支撑所述晶圆,所述气浮载台直径处设置测温孔;所述光源设置在晶圆的正上方,通过辐射对晶圆进行加热;所述红外测温探头设置在气浮载台正下方,通过所述测温孔测量晶圆温度;所述控制器与所述红外测温探头相连,控制光源辐照功率进而控制晶圆温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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