[发明专利]一种砷化镓衬底的化学抛光方法在审
| 申请号： | 201610939449.3 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106340447A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李倩倩;乔世香;孔芳芳;张秀萍;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种砷化镓衬底的化学抛光方法，首先将减薄后的砷化镓衬底清洗干净并用氮气吹干，其次配置强碱和过氧化氢的混合水溶液作为抛光液，将待抛光的砷化镓衬底置于抛光液中，根据抛光液中强碱和过氧化氢的浓度，通过控制抛光时间来控制抛光厚度。本发明操作简单，易实现，安全可靠，无刺激性气味，抛光速率高，只需借助强碱、过氧化氢、去离子水即可实现对减薄后的砷化镓衬底进行表面抛光以去除残留的难以刷洗的砷化镓颗粒，防止影响后续电极蒸镀效果，提高界面结合性能，从而防止芯片掉电极，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 衬底 化学抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种砷化镓衬底的化学抛光方法，包括步骤如下：(1)将经过减薄工艺后的砷化镓衬底刷洗干净并吹干，然后置于抛光液中进行化学抛光；所述的抛光液为强碱与过氧化氢的混合水溶液；(2)化学抛光完成后，将砷化镓衬底用水清洗并烘干，即完成砷化镓衬底的化学抛光。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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