[发明专利]一种基于p‑i‑n结构的QLED器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种基于p‑i‑n结构的QLED器件及其制备方法，包括衬底、底电极、空穴传输层、电子阻挡层、量子点发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及顶电极，其中，本发明一方面通过以p型材料作为空穴传输层以及以n型材料作为电子传输层，来降低QLED器件的驱动电压，从而有效减少斯塔克效应对量子点发光的猝灭；另一方面，通过在量子点发光层中引入本征基质材料来降低量子点之间的交叉弛豫，增强辐射复合几率，同时还可以有效俘获注入的电子和空穴以提高电流效率，从而提高器件的发光效率以及增加器件的使用寿命和稳定性。

主权项

一种基于 p‑i‑n结构的QLED器件，包括衬底、底电极、空穴传输层、电子阻挡层、量子点发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及顶电极，其特征在于，所述空穴传输层为p型材料，所述电子传输层为n型材料，所述量子点发光层包括量子点材料和基质材料。