[发明专利]一种背照式图像传感器的背面结构及其制备方法在审
申请号: | 201610939932.1 | 申请日: | 2016-11-01 |
公开(公告)号: | CN106449686A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 王前文;胡胜;孙鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种图像传感器,尤其涉及一种背照式图像传感器的背面结构及其制备方法,制备一衬底,衬底包括一凹槽,一感光二极管预制备区以及填埋于凹槽的底部下方的一金属互联层,于感光二极管预制备区处的衬底的表面覆盖一第一介质层,于凹槽的底部和侧壁以及第一介质层的表面覆盖一第一氧化物层,在第一金属层上对第二金属层进行图形化工艺,以在凹槽内形成金属垫,以及在感光二极管预制备区处的第一氧化物层上方由第二介质层和第一金属层形成多个栅格,工艺简单,生产成本较低,同时不影响形成图像传感器的后续工艺。 | ||
搜索关键词: | 一种 背照式 图像传感器 背面 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种背照式图像传感器的背面结构,其特征在于,包括:衬底,包括一凹槽和一感光二极管预制备区;所述凹槽的底部下方填埋有一金属互联层;第一介质层,覆盖所述感光二极管预制备区处的所述衬底的表面;第一氧化物层,覆盖所述凹槽的底部和侧壁,并且覆盖所述第一介质层的表面;开口,同时穿过所述凹槽内的所述第一氧化物层和所述凹槽的底部的所述衬底,终止于所述金属互联层;第二介质层,覆盖所述第一氧化物层的表面,以及所述开口的侧壁;第一金属层,覆盖所述第二介质层,并填充所述开口且与所述金属互联层接触;多个金属栅格,由图形化位于所述感光二极管预制备区的所述第二介质层和一第一金属层得到;金属垫,形成于所述凹槽内的所述第一金属层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的