[发明专利]一种去除单晶硅片酸腐蚀斑痕的方法在审
| 申请号： | 201610939971.1 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106391567A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 田原;于妍;王云彪;陈亚楠;杨召杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/10;B08B3/08 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除单晶硅片酸腐蚀斑痕的方法。在单晶硅片经过酸腐蚀之后，浸入由氨水、双氧水和去离子水配制的水溶液中，进行超声清洗，以去除硅片表面斑痕。水溶液中氨水、双氧水、去离子水的比例为11(5‑20)；水溶液温度为50‑70℃；超声清洗时间为5‑30 min。本方法易于操作，绿色环保，可有效去除硅片酸腐蚀产生的表面及边缘斑痕。本方法放宽了对于硅片从酸液转移到水中的时间的要求，并且避免了设计硅片酸腐蚀专用夹具的繁琐工作。本方法简单易行，在硅片酸腐领域会得到广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 单晶硅 酸腐 斑痕 方法 | ||
【主权项】：
一种去除单晶硅片酸腐蚀斑痕的方法，其特征是：在单晶硅片经过酸腐蚀之后，浸入由氨水、双氧水和去离子水配制的水溶液中，进行超声清洗，以去除硅片表面斑痕。
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