[发明专利]一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法在审
| 申请号： | 201610939982.X | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106498494A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 韩焕鹏;杨洪星;陈晨;何远东;杨静;范红娜;庞炳远;王雄龙;张伟才 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B30/04 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法，改变了单晶炉热场的上下保温层厚度，优化了热场的纵向温度梯度，使用新型结构的导流筒，改善了氩气流场结构，采用磁场拉晶，并随着熔硅减少，逐渐增强磁场强度，以保证晶体的氧碳杂质含量得到有效控制，减少后期单晶中氧沉淀及相关缺陷的生成，掺入电中性锗元素，起到抑制微缺陷形成的作用，改善晶体的微缺陷密度参数。技术效果是减少了熔体稳定化时间，改善了拉晶效率，提高放肩拉速，小角度锥形放肩，减低晶体拉制速率，提高升温幅度和速率，抑制因锗元素造成的组分过冷问题，保证晶体生长稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 制作 用硅单晶 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作ＭＥＭＳ器件的专用硅单晶材料制备用热场，包括上保温层（1）、下保温层（2）、磁场（3）、导流筒（4）、石英坩埚（5）和单晶炉（6），其特征在于：上保温层（1）的保温层厚度为70‑80mm，上保温层（1）与下保温层（2）的保温层厚度比为8：10，在热场外增加磁场（3）,初始磁场强度参数设定为800‑1000Gs，导流筒（4）为内中空的锥形壳体、壳体外层距石英坩埚（5）内熔硅表面10‑20mm。
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