[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610940128.5 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107017288B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 栗林秀直 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 齐雪娇;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置抑制由氢导致的特性劣化。提供一种半导体装置，具备：半导体基板；设置于半导体基板的上表面的上方，且由具有储氢性的第一金属形成的储氢层；设置于储氢层的上方，且由第一金属的氮化物形成的氮化物层；设置于氮化物层的上方，且由铝和第二金属的合金形成的合金层；以及设置于合金层的上方，且由铝形成的电极层，在电极层和氮化物层之间，不设置有第二金属的纯金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；储氢层，设置于所述半导体基板的上表面的上方，且由具有储氢性的第一金属形成；氮化物层，设置于所述储氢层的上方，且由所述第一金属的氮化物形成；合金层，设置于所述氮化物层的上方，且由铝和第二金属的合金形成；以及电极层，设置于所述合金层的上方，且由铝形成，在所述电极层和所述氮化物层之间，不设置有所述第二金属的纯金属层。
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