[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示面板有效
申请号: | 201610941853.4 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN106887468B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 崔承镇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管,包括栅电极、源电极和漏电极,所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一者包括从上至下依次层叠的辅助电极层、第一防护电极层和主电极层,制成所述辅助电极层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极层的材料的活泼性。本发明还提供一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示面板。在本发明中,光刻胶涂敷在辅助导电材料层上。由于形成辅助导电材料层的金属活泼性较高,因此,材料原子外层的电子非常容易失去,使得所述辅助导电材料层能够牢固地吸附光刻胶层。并且,在刻蚀的过程中,遮挡图形也不容易剥离,从而可以获得更加精确的导电图形,提高制造薄膜晶体管的良率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极,其特征在于,所述栅电极、所述源电极和所述漏电极中的至少一者包括从上至下依次层叠的辅助电极层、第一防护电极层和主电极层,制成所述辅助电极层的材料的活泼性大于制成所述第一防护电极层的材料的活泼性。
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