[发明专利]辐射传感器有效
申请号: | 201610942592.8 | 申请日: | 2010-06-16 |
公开(公告)号: | CN107425020B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | L·E·安托努克 | 申请(专利权)人: | 密执安州立大学董事会 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 马景辉 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种辐射传感器包括:一闪烁层,该闪烁层被配置为在与电离辐射相互作用时发射光子;及一光电检测器,其依次包括第一电极、感光层和与闪烁层邻近设置的可透射光子的第二电极。该感光层被配置为在与所述光子的一部分相互作用时产生电子空穴对。该辐射传感器包括:像素电路,被电连接至第一电极,并且被配置为测量指示在感光层中所产生的所述电子空穴对的成像信号;及平坦化层,被设置在第一电极与像素电路之间的像素电路上,使得第一电极在包括像素电路的平面的上方。所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的一表面与该像素电路至少部分地重叠,且具有在该像素电路的特征的上方的表面翘曲部。所述表面翘曲部具有大于1/2微米的曲率半径。 | ||
搜索关键词: | 辐射 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种辐射传感器,包括:光导体检测器,依次包括第一电极、光导层以及可透射电离辐射的第二电极,并且,所述光导层被配置为在与电离辐射相互作用时产生电子空穴对;像素电路,被电连接至第一电极,并且被配置为测量指示在光导层中所产生的所述电子空穴对的成像信号;平坦化层,被设置在第一电极与像素电路之间的像素电路上,使得第一电极在包括像素电路的平面的上方;所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的表面与像素电路至少部分地重叠,并且具有在像素电路的上方的表面翘曲部;并且所述表面翘曲部具有大于1/2微米的曲率半径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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