[发明专利]一种测量单个带电颗粒荷质比的装置有效

专利信息
申请号: 201610943343.0 申请日: 2016-10-26
公开(公告)号: CN107037275B 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: 富庆飞;杨立军;谢络;覃粒子 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01R29/24 分类号: G01R29/24
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 吴小灿
地址: 100191 北京市海淀区学*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种测量单个带电颗粒荷质比的装置,能够测量单个带电颗粒的荷质比,结构简单,易于操作,相比于现有技术测量对象都是荷电群滴的测量荷质比的装置,能够得到更加准确的测量结果。包括匀强电场产生装置以及光栅测距系统,匀强电场产生装置用于使带电颗粒在匀强电场产生装置产生的匀强电场中做匀加速运动,光栅测距系统用于获得带电颗粒在匀强电场运动的轨迹,基于匀加速运动的轨迹与所受外力的对应关系,确定带电颗粒的荷质比。
搜索关键词: 一种 测量 单个 带电 颗粒 装置
【主权项】:
1.一种测量单个带电颗粒荷质比的装置,其特征在于,包括匀强电场产生装置以及光栅测距系统,所述匀强电场产生装置用于使带电颗粒在匀强电场产生装置产生的匀强电场中做匀加速运动,所述光栅测距系统用于获得带电颗粒在匀强电场运动的轨迹;所述光栅测距系统产生具有一定间距的光轴阵列,当带电颗粒在匀强电场中运动时,将带电颗粒通过第1根光轴的时刻记为0,测得带电颗粒通过第i+1根光轴的时刻ti以及带电颗粒通过第j+1根光轴的时刻tj由公式:即可得出单个带电颗粒的荷质比:其中,q为单个带电颗粒的电量,m为单个带电颗粒的质量,E为匀强电场的电场强度,d0为相邻两根光轴之间的距离。
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