[发明专利]一种薄膜芯片的制作方法及其薄膜芯片有效
| 申请号： | 201610943582.6 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106374020B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 钟志白;杨力勋;李佳恩;郑锦坚;徐宸科;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜芯片的制作方法及其薄膜芯片，包括：提供一发光外延片，所述发光外延片由生长衬底和发光外延叠层构成，并在所述发光外延叠层上制作若干个芯片结构层，在相邻的芯片结构层之间，于发光外延叠层表面定义出切割道；在所述切割道上预划出沟槽结构，并贯穿至所述生长衬底内部；沿着所述生长衬底背面，根据沟槽结构的尺寸变化进行减薄，直至去除生长衬底，露出所述发光外延叠层；进行单一化处理，将所述发光外延片分离成若干个薄膜芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 芯片 制作方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜芯片的制作方法，包括工艺步骤：（1）提供一发光外延片，所述发光外延片由生长衬底和发光外延叠层构成，并在所述发光外延叠层上制作若干个芯片结构层，在相邻的芯片结构层之间，于发光外延叠层表面定义出切割道；（2）在所述切割道上预划出沟槽结构，沟槽呈固定倾斜角V形或者倒梯形，底部贯穿至所述生长衬底内部；（3）沿着所述生长衬底背面，根据沟槽宽度和深度的线性变化进行减薄，直至去除生长衬底露出所述发光外延叠层或部分去除生长衬底；（4）进行单一化处理，将所述发光外延片分离成若干个薄膜芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司，未经厦门市三安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610943582.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
