[发明专利]沟槽栅超结器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法，包括步骤步骤一、形成沟槽栅步骤11、在未形成超结结构的第一外延层中形成栅极沟槽；步骤12、形成栅氧化层并利用栅氧化层的热氧化工艺使栅极沟槽的底角和顶角圆化；步骤13、形成多晶硅栅；步骤二、形成超结结构步骤21、形成超结柱沟槽；步骤22、在超结柱沟槽中填充第二外延层组成超结结构的第二导电类型柱，超结结构的第一导电类型柱由超结柱沟槽之间的第一外延层组成。本发明能降低器件的漏电，提高器件的可靠性，同时还能降低器件的比导通电阻。

主权项

一种沟槽栅超结器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成沟槽栅，包括如下分步骤：步骤11、提供第一导电类型的第一外延层，所述第一外延层中要求还未形成超结结构，采用光刻刻蚀工艺在所述第一外延层表面形成栅极沟槽；步骤12、采用热氧化工艺在所述栅极沟槽的底部表面和侧面以及所述栅极沟槽外的所述第一外延层表面形成栅氧化层，利用所述第一外延层中未形成所述超结结构的特点，所述栅氧化层的热氧化工艺的温度能够得到不受所述超结结构的限制的增加并将所述栅氧化层的热氧化工艺的温度增加到能使所述栅极沟槽的底角和顶角都实现圆化，从而改善器件的漏电特性并有利于器件应用到更高的工作电压中；步骤13、在所述栅极沟槽中填充多晶硅形成多晶硅栅，该多晶硅栅为所述沟槽栅；步骤二、形成所述超结结构，包括如下分步骤：步骤21、采用光刻刻蚀工艺在形成有所述沟槽栅的所述第一外延层中形成超结柱沟槽；在横向位置上，各所述超结柱沟槽位于相邻的两个所述栅极沟槽之间；各所述超结柱沟槽的深度大于各所述栅极沟槽的深度；步骤22、在所述超结柱沟槽中填充第二导电类型的第二外延层，由填充于所述超结柱沟槽中的所述第二外延层组成第二导电类型柱，由所述超结柱沟槽之间的所述第一外延层组成第一导电类型柱，由所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱交替排列形成所述超结结构；利用形成所述超结结构之前所述沟槽栅已经形成的特点消除所述沟槽栅形成过程中的热过程对所述超结结构的PN杂质的扩散的影响，使得所述超结结构的掺杂以及步进能独立调节并通过调节所述超结结的掺杂和步进来降低器件的比导通电阻。