[发明专利]一种单级隔离功率因数校正电路

摘要

本发明公开了一种单级隔离功率因数校正电路，包括有桥式模块、功率因数电感Lp、变压器T、隔直电容Cp、谐振电感Lr、阻尼模块、第一钳位模块、开关管Q1以及输出模块；与传统的带电气隔离的多级功率因数校正转换电路相比，本发明通过较少的电子元器件即可实现单级电气隔离与功率因数校正的功能，具有成本低、效率高、电路结构简单的优点。

主权项

1.一种单级隔离功率因数校正电路，其特征在于：包括有桥式模块、功率因数电感Lp、变压器T、隔直电容Cp、谐振电感Lr、阻尼模块、第一钳位模块、开关管Q1以及输出模块；所述桥式模块的输入端与交流电连接；所述桥式模块的一个输出端通过功率因数电感Lp与变压器T初级线圈的一端连接；所述桥式模块的一个输出端通过阻尼模块与谐振电感Lr的一端连接；所述谐振电感Lr的另一端与变压器T初级线圈的另一端连接；所述隔直电容Cp的一端与谐振电感Lr的一端连接，隔直电容Cp的另一端与桥式模块的另一个输出端连接；所述开关管Q1的漏极与变压器T初级线圈的一端连接，开关管Q1的源极与桥式模块的另一个输出端连接；所述第一钳位模块的一端与变压器T初级线圈的一端连接，第一钳位模块的另一端与桥式模块的另一个输出端连接；所述输出模块与变压器T次级线圈连接；第一钳位模块包括有二极管D1、MOS管Q2以及钳位电容C1；所述MOS管Q2的源极与变压器T初级线圈的一端连接，MOS管Q2的漏极通过钳位电容C1与桥式模块的另一个输出端连接；所述二极管D1的正极与MOS管Q2的源极连接，二极管D1的负极与MOS管Q2的漏极连接；所述阻尼模块包括有电阻Rd以及电感Ld；所述电感Ld的一端与功率因数电感Lp的一端连接；所述电感Ld的另一端与电阻Rd的一端连接；所述电阻Rd的另一端与谐振电感Lr的一端连接。