[发明专利]一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法无效
| 申请号： | 201610945708.3 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106324980A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 胡超;王兴平;尤春;刘维维;沙云峰;刘浩;季书风;朱希进;钱奇;薛文卿 | 申请（专利权）人： | 无锡中微掩模电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F1/82 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人： | 黄冠华 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法，包括如下步骤：(a)、将出现金属残留缺陷的掩模板均匀涂布光胶保护层；(b)、在缺陷处选定曝光区域并获得曝光数据，对基板进行二次曝光；(c)、通过显影工艺在选定区域内获得新的图形并且覆盖原有图形；(d)、通过蚀刻工艺，将没有光胶保护的金属层去除；(e)、对掩模板进行去胶和清洗。本发明的修补方法不需要专用的修补设备，可以仅依靠现有工艺设备完成，操作方便，能对图形区内大面积金属残留进行有效的清除；大大降低了修补机台的压力，而且二次曝光只是针对特定缺陷区域进行，因此大大加快了二次曝光速度；减少了基板报废率，节约了基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 二次 曝光 技术 修补 模板 图形 区内 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法，其特征是，包括如下步骤：(a)、将出现金属残留缺陷的掩模板均匀涂布光胶保护层；(b)、在缺陷处选定曝光区域并获得曝光数据，对基板进行二次曝光；(c)、通过显影工艺在选定区域内获得新的图形并且覆盖原有图形；(d)、通过蚀刻工艺，将没有光胶保护的金属层去除；(e)、对掩模板进行去胶和清洗。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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