[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法包括非晶硅层形成步骤在硅片的正面和背面均沉积非晶硅，形成非晶硅层；透明导电膜层形成步骤在硅片正面和背面的非晶硅层表面沉积透明导电膜，形成透明导电膜层；电极形成步骤在硅片的正面和背面的透明导电膜层表面形成电极；焊带焊接步骤将焊带焊接到电极的主栅线上；减反膜层形成步骤在硅片的正面，和/或背面的电极表面沉积减反膜，形成减反膜层。基于该方法，本发明无需额外制备镂空模具，因而可以简化工艺，从而降低成本；此外，可以在硅片的正面和/或背面的整版位置制备减反膜层，大大增加了电池的减反面积，进而可以提高电池的发电效率。

主权项

一种硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：非晶硅层形成步骤：在硅片的正面和背面均沉积非晶硅，形成非晶硅层；透明导电膜层形成步骤：在硅片正面和背面的所述非晶硅层表面均沉积透明导电膜，形成透明导电膜层；电极形成步骤：在硅片的正面和背面的所述透明导电膜层表面均形成电极；焊带焊接步骤：将焊带焊接到所述电极的主栅线上；减反膜层形成步骤：在硅片的正面，和/或背面的所述电极表面沉积减反膜，形成减反膜层，其中，所述硅片的正面，和/或背面的所述电极表面包括焊接焊带的位置和未焊接焊带的位置。