[发明专利]钝化接触太阳能电池在审
申请号: | 201610948435.8 | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN106449781A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 叶继春;曾俞衡;高平奇;童慧;王丹;廖明墩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 郑小粤 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供的一种钝化接触太阳能电池,包括依次层叠的基底层、钝化隧穿层以及载流子选择层,其中,所述载流子选择层包括高功函数金属层或低功函数金属层,所述高功函数金属层的金属功函数大于等于5eV,所述低功函数金属层的金属功函数小于等于4eV。上述载流子选择钝化接触太阳能电池,叠层金属层由金属材料制备,结构简单;其中的载流子选择层金属材料调控功函数方式简单,制备高功函数层或低功函数层工艺简单,无需如制备磷掺杂、氮掺杂或硼掺杂的硅合金时需要的高温长时间处理过程,降低了工艺复杂度,扩宽了工艺窗口,有利于避免了制备硅合金所需的高温处理工艺以及由高温处理工艺引起的副作用。 | ||
搜索关键词: | 钝化 接触 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种钝化接触太阳能电池,包括依次层叠的基底层、钝化隧穿层以及载流子选择层,其特征在于,所述载流子选择层包括高功函数金属层和/或低功函数金属层,所述高功函数金属层的金属功函数大于等于5eV,所述低功函数金属层的金属功函数小于等于4eV。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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