[发明专利]光刻胶厚度的确定方法有效
| 申请号： | 201610948510.0 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106323181B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 周兵兵 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 曹军 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻胶厚度的确定方法，包括以下步骤：S101.准备多个测试晶圆；S102.在n个测试晶圆上分别涂覆光刻胶；S103.测量每个测试晶圆上光刻胶厚度THK；S104.对每个测试晶圆上的光刻胶进行曝光，获得每个测试晶圆上光刻胶的最小曝光能量E0；S105.获得最小曝光能量摇摆曲线；S106.确定光刻胶厚度。本发明通过最小曝光能量摇摆曲线即可确定光刻胶厚度，该方法占用器材少，操作简单，可有效降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 厚度 确定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶厚度的确定方法，包括以下步骤：S101.准备多个测试晶圆：对测试晶圆分别进行编号，编号为1、2、3、…n；S102.在n个测试晶圆上分别涂覆光刻胶；S103.测量每个测试晶圆上光刻胶厚度THK：n个测试晶圆上光刻胶厚度分别为THK1、THK2、THK3、…THKn；S104.对每个测试晶圆上的光刻胶进行曝光，获得每个测试晶圆上光刻胶的最小曝光能量E0，n个测试晶圆上光刻胶的最小曝光能量分别为E01、E02、E03、…E0n；S105.获得最小曝光能量摇摆曲线：根据每个测试晶圆对应的光刻胶厚度THK和其上光刻胶最小曝光能量E0，以光刻胶厚度THK为X轴，以最小曝光能量E0为Y轴绘制曲线，所得曲线即为最小曝光能量摇摆曲线；S106.确定光刻胶厚度：根据生产中线条间space尺寸和线条line尺寸的变化关系，结合最小曝光能量摇摆曲线，确定最小曝光能量摇摆曲线中波峰或波谷对应的光刻胶厚度即为光刻胶厚度；所述步骤S106中，如生产中线条line的尺寸变小，线条间space的尺寸变大，则该生产中光刻胶膜厚选取最小曝光能量摇摆曲线波峰处所对应的光刻胶厚度；如生产中线条line的尺寸变大，线条间space的尺寸变小，则该生产中光刻胶膜厚选取最小曝光能量摇摆曲线波谷处所对应的光刻胶厚度。
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