[发明专利]一种抗单粒子翻转的锁存器

摘要

本发明公开了一种抗单粒子翻转的锁存器，包括第一输出支路、第二输入支路、第三输入支路、第四输出支路；所述第二输入支路包括传输门(1)、传输门(2)、第二冗余支路(1)、第二冗余支路(2)、第二判决支路、反相器(1)；所述第三输入支路包括传输门(3)、传输门(4)、第三冗余支路(1)、第三冗余支路(2)、第三判决支路、反相器(2)。本发明通过输入X和输入X’分别经过第二/三输入支路中的第二/三冗余支路、第二/三判决支路实现抗SEU加固的效果，再经过反相器(1)和反相器(2)实现反相，最终通过第一/四输出支路输出节点A(＝X’)和输出节点D(＝X)，实现抗SEU加固的功能。

主权项

1.一种抗单粒子翻转的锁存器，其特征在于，包括第一输出支路、第二输入支路、第三输入支路、第四输出支路；/n所述第一输出支路上设置有节点A；所述第四输出支路上设置有节点D；所述第三输入支路包括传输门(3)、传输门(4)、第三冗余支路(1)、第三冗余支路(2)、第三判决支路、反相器(2)，所述第三冗余支路(1)上设置有节点C1，所述第三冗余支路(2)上设置有节点C2，所述第三判决支路上设置有节点C’，所述反相器(2)上设置有节点C；/n所述第二输入支路包括传输门(1)、传输门(2)、第二冗余支路(1)、第二冗余支路(2)、第二判决支路、反相器(1)，所述第二冗余支路(1)上设置有节点B1，所述第二冗余支路(2)上设置有节点B2，所述第二判决支路上设置有节点B’，所述反相器(1)上设置有节点B；/n所述第二冗余支路(1)包括PMOS管P21、NMOS管N21、第二冗余支路(1)电源，所述PMOS管P21的源极接所述第二冗余支路(1)电源，所述PMOS管P21的栅极接所述节点A，所述PMOS管P21的漏极依次接所述节点B1、所述NMOS管N21的漏极，所述NMOS管N21的栅极接所述节点C1，所述NMOS管N21的源极接地；所述第二冗余支路(2)包括PMOS管P22、NMOS管N22、第二冗余支路(2)电源，所述PMOS管P22的源极接所述第二冗余支路(2)电源，所述PMOS管P22的栅极接所述节点A，所述PMOS管P22的漏极依次接所述节点B2、所述NMOS管N22的漏极，所述NMOS管N22的栅极接所述节点C2，所述NMOS管N22的源极接地；/n所述第二判决支路包括PMOS管P51、PMOS管P52、NMOS管N51、NMOS管N52、第二判决支路电源，所述PMOS管P51的源极接所述第二判决支路电源，所述PMOS管P51的栅极接所述节点B1，所述PMOS管P51的漏极接所述PMOS管P52的源极，所述PMOS管P52的栅极接所述节点B2，所述PMOS管P52的漏极依次接所述节点B’、所述NMOS管N51的漏极，所述NMOS管N51的栅极接所述节点B1，所述NMOS管N51的源极接所述NMOS管N52的漏极，所述NMOS管N52的栅极接所述节点B2，所述NMOS管N52的源极接地；/n所述第三冗余支路(1)包括PMOS管P31、NMOS管N31、第三冗余支路(1)电源，所述PMOS管P31的源极接所述第三冗余支路(1)电源，所述PMOS管P31的栅极接所述节点D，所述PMOS管P31的漏极依次接所述节点C1、所述NMOS管N31的漏极，所述NMOS管N31的栅极接所述节点B1，所述NMOS管N31的源极接地；所述第三冗余支路(2)包括PMOS管P32、NMOS管N32、第三冗余支路(2)电源，所述PMOS管P32的源极接所述第三冗余支路(2)电源，所述PMOS管P32的栅极接所述节点D，所述PMOS管P32的漏极依次接所述节点C2、所述NMOS管N32的漏极，所述NMOS管N32的栅极接所述节点B2，所述NMOS管N32的源极接地；/n所述第三判决支路包括PMOS管P61、PMOS管P62、NMOS管N61、NMOS管N62、第三判决支路电源，所述PMOS管P61的源极接所述第三判决支路电源，所述PMOS管P61的栅极接所述节点C1，所述PMOS管P61的漏极接所述PMOS管P62的源极，所述PMOS管P62的栅极接所述节点C2，所述PMOS管P62的漏极依次接所述节点C’、所述NMOS管N61的漏极，所述NMOS管N61的栅极接所述节点C1，所述NMOS管N61的源极接所述NMOS管N62的漏极，所述NMOS管N62的栅极接所述节点C2，所述NMOS管N62的源极接地。/n