[发明专利]解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法在审

专利信息
申请号: 201610949366.2 申请日: 2016-10-26
公开(公告)号: CN106505127A 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 孙捷;种明;苏艳梅 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法,包括如下步骤在一衬底上制作多量子阱红外探测器材料;在多量子阱红外探测器材料上按照预定间距向下刻蚀,形成多个像元之间的隔离槽,刻蚀深度至衬底内;在刻蚀隔离槽后的多量子阱红外探测器材料上制作In柱;将一读出电路置放在In柱上,使多量子阱红外探测器材料和读出电路通过In柱互连;在In柱的周围灌注胶,胶的作用是互连固化;把衬底第一次减薄;将衬底抛光,第二次减薄;继续腐蚀衬底,第三次减薄,直至暴露出衬底上的隔离槽,各像元完全隔离,完成制备。本发明可以使像元间完全隔离,更加有效的释放热应力。
搜索关键词: 解决 量子 红外探测器 阵列 读出 电路 之间 应力 方法
【主权项】:
一种解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法,包括如下步骤:步骤1:在一衬底上制作多量子阱红外探测器材料;步骤2:在多量子阱红外探测器材料上按照预定间距向下刻蚀,形成多个像元之间的隔离槽,刻蚀深度至衬底内;步骤3:在刻蚀隔离槽后的多量子阱红外探测器材料上制作In柱;步骤4:将一读出电路置放在In柱上,使多量子阱红外探测器材料和读出电路通过In柱互连;步骤5:在In柱的周围灌注胶,胶的作用是互连固化;步骤6:把衬底第一次减薄;步骤7:将衬底抛光,第二次减薄;步骤8:继续腐蚀衬底,第三次减薄,直至暴露出衬底上的隔离槽,各像元完全隔离,完成制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610949366.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top