[发明专利]解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法在审
申请号: | 201610949366.2 | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN106505127A | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 孙捷;种明;苏艳梅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法,包括如下步骤在一衬底上制作多量子阱红外探测器材料;在多量子阱红外探测器材料上按照预定间距向下刻蚀,形成多个像元之间的隔离槽,刻蚀深度至衬底内;在刻蚀隔离槽后的多量子阱红外探测器材料上制作In柱;将一读出电路置放在In柱上,使多量子阱红外探测器材料和读出电路通过In柱互连;在In柱的周围灌注胶,胶的作用是互连固化;把衬底第一次减薄;将衬底抛光,第二次减薄;继续腐蚀衬底,第三次减薄,直至暴露出衬底上的隔离槽,各像元完全隔离,完成制备。本发明可以使像元间完全隔离,更加有效的释放热应力。 | ||
搜索关键词: | 解决 量子 红外探测器 阵列 读出 电路 之间 应力 方法 | ||
【主权项】:
一种解决量子阱红外探测器阵列与读出电路之间应力的方法,包括如下步骤:步骤1:在一衬底上制作多量子阱红外探测器材料;步骤2:在多量子阱红外探测器材料上按照预定间距向下刻蚀,形成多个像元之间的隔离槽,刻蚀深度至衬底内;步骤3:在刻蚀隔离槽后的多量子阱红外探测器材料上制作In柱;步骤4:将一读出电路置放在In柱上,使多量子阱红外探测器材料和读出电路通过In柱互连;步骤5:在In柱的周围灌注胶,胶的作用是互连固化;步骤6:把衬底第一次减薄;步骤7:将衬底抛光,第二次减薄;步骤8:继续腐蚀衬底,第三次减薄,直至暴露出衬底上的隔离槽,各像元完全隔离,完成制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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