[发明专利]一种抗氧化HfC/SiC泡沫及其制备方法有效
| 申请号： | 201610949467.X | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107986790B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 左红军;陈艳武;霍鹏飞;张万强;孙同臣;金鑫;刘俊鹏;于新民;王涛 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/634;C04B38/06;C04B35/653 |
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| 地址： | 100074 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提出一种抗氧化HfC/SiC泡沫及其制备方法，采用混合料浆浸渍有机泡沫，将硅铪合金引入到有机泡沫内部，再经裂解、熔融反应，使泡沫内均质分布的硅铪合金与碳反应，原位生成SiC和HfC。本发明从泡沫本体出发，在本体内部引入碳先驱体的同时引入难熔金属Hf，形成HfC/SiC复合泡沫，使其在高温有氧环境下，表面形成HfO |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 hfc sic 泡沫 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗氧化HfC/SiC泡沫，其特征在于：采用混合料浆浸渍有机泡沫，将硅铪合金引入到有机泡沫内部，再经裂解、熔融反应，使泡沫内均质分布的硅铪合金与碳反应，原位生成SiC和HfC；所述的混合料浆包括碳先驱体、聚乙二醇、硅铪合金粉末和适量溶剂，所述的碳先驱体与聚乙二醇的质量比为20～40：1，所述的碳先驱体与硅铪合金粉末的质量比为6～15：1。
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