[发明专利]检测氟离子的荧光薄膜传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种检测氟离子的荧光薄膜传感器及其制备方法，涉及荧光分子传感器领域。本发明的检测氟离子的荧光薄膜传感器及其制备方法，首先以2‑溴‑9,9‑(N‑咔唑‑己基)芴为原料，经与三甲基乙炔基硅反应，获得可电聚合荧光传感材料单体。接着以荧光传感材料单体经过电化学聚合得到荧光薄膜传感器聚1,4‑二(4‑(9,9‑双(N‑咔唑‑己基)芴基)‑1,2,3‑三唑基)苯，在得到的荧光薄膜传感器中加入Fe³⁺可增强其检测性能。本发明获得的薄膜荧光传感器，可以有效地保证金属离子在薄膜中的快速扩散，提高薄膜检测的灵敏度，使用到的荧光传感原料廉价易得、合成方法相对简单，所构建的器件可逆性好、实用性强。

主权项

1.一种检测氟离子的荧光薄膜传感器，其特征在于，由聚(1,4‑二(4‑(9,9‑双(N‑咔唑‑己基)芴基)‑1,2,3‑三唑基)苯)制成；其中，聚1,4‑二(4‑(9,9‑双(N‑咔唑‑己基)芴基)‑1,2,3‑三唑基)苯薄膜通过混合二氯甲烷和乙腈作溶剂，加入单体1,4‑二(4‑(9,9‑双(N‑咔唑‑己基)芴基)‑1,2,3‑三唑基)苯后，通过循环伏安法得到；所述循环伏安法使用的电解质为TBAPF₆，扫描速度为80‑120mv/s，扫描圈数为6‑10圈，伏安电位为‑0.3V‑1.1V。