[发明专利]具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片及制备方法有效
| 申请号： | 201610949920.7 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106340574B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;闫宝华;王建华;陈康;刘琦 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片及其制备方法，该GaAs基LED芯片包括N电极、GaAs衬底和外延层，外延层上设置有电流扩展层，电流扩展层上设置有p电极，p电极外围的电流扩展层为粗化电流扩展层；制备步骤包括：（1）在GaAs衬底上生长外延层；（2）在外延层表面涂负性光刻胶，通过光刻得到负性光刻胶粗化图形；（3）在整个负性光刻胶表面生长电流扩展层；（4）通过剥离负性光刻胶，得到粗化电流扩展层；（5）在粗化电流扩展层上制备负性光刻胶电极图形；（6）在负性光刻胶电极图形上制备p电极；（7）对GaAs衬底减薄及生长N电极。本发明避免了现有技术中对GaAs基LED芯片的外延层直接进行粗化造成的不稳定性，提高了出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 扩展 gaas led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片的制备方法，其特征是，包括以下步骤：（1）在GaAs衬底上生长外延层；（2）在外延层表面涂负性光刻胶，在负性光刻胶上预留出所要制备p电极的区域，其余区域通过光刻得到负性光刻胶粗化图形；（3）在步骤（2）所涂的整个负性光刻胶上表面生长电流扩展层；（4）通过剥离负性光刻胶，在负性光刻胶粗化图形区域得到粗化电流扩展层，在其它区域得到未粗化电流扩展层，并对粗化电流扩展层进行退火；（5）在粗化电流扩展层上制备负性光刻胶电极图形；（6）在负性光刻胶电极图形上制备p电极；（7）对GaAs衬底减薄及生长N电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司，未经山东浪潮华光光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610949920.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于丢包率的控制设备及方法
- 下一篇：一种多媒体内容分级技术的实现方法
