[发明专利]一种改善蓝宝石衬底减薄质量的预处理方法有效
申请号: | 201610950046.9 | 申请日: | 2016-11-02 |
公开(公告)号: | CN106548925B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 胡夕伦;刘琦;闫宝华;陈康 | 申请(专利权)人: | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B24B33/00;B24B9/16 |
代理公司: | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人: | 王书刚 |
地址: | 261061 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种改善蓝宝石衬底减薄质量的预处理方法,在吸片台上进行,包括以下步骤:(1)将吸片台表面用蘸有无水乙醇的无尘纸擦拭干净;(2)将中心厚度与边缘厚度的差值大于10μm的蓝宝石衬底放置在吸片台上;(3)将衬底吸附在吸片台上;(4)使蓝宝石衬底旋转;(5)用油石对衬底边缘进行磨边,磨边后使蓝宝石衬底的中心厚度与边缘厚度的差值不大于10μm;(6)将蓝宝石衬底取下;(7)去离子水中超声清洗;(8)去离子水中清洗;(9)烘干。该方法操作简单、易实现、成本低、效率高,主要针对中心与边缘厚度差超过10μm的蓝宝石衬底,可有效降低翘曲度,改善后续减薄质量,降低边缘掉边及裂片异常,提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 蓝宝石 衬底 质量 预处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种改善蓝宝石衬底减薄质量的预处理方法,是在吸片台上进行,其特征是,包括以下步骤:(1)将吸片台表面用蘸有无水乙醇的无尘纸擦拭干净;(2)测量蓝宝石衬底的中心厚度及边缘厚度,所述边缘指最外缘向内1‑2mm的范围;将中心厚度与边缘厚度的差值大于10μm的蓝宝石衬底放置在吸片台上,放置完毕后不得再次移动,以防表面划伤;(3)开启吸片台的真空按钮,将衬底吸附在吸片台上;(4)启动吸片台,使蓝宝石衬底旋转;(5)将油石相对衬底表面以小于15°的倾斜角对衬底边缘进行磨边,所述衬底边缘是指衬底最外缘向内1‑2mm的范围,磨边后使蓝宝石衬底的中心厚度与边缘厚度的差值不大于10μm;(6)磨边结束后,使蓝宝石衬底停止转动,关闭真空按钮,将蓝宝石衬底从吸片台上取下,待洗;(7)将磨边后的蓝宝石衬底置于去离子水中超声清洗1‑10分钟;(8)将超声后的蓝宝石衬底在去离子水中清洗1‑5分钟;(9)将清洗后的蓝宝石衬底进行热氮烘干;(10)测量烘干后的蓝宝石衬底中心厚度与边缘厚度差,所述边缘指最外缘向内1‑2mm的范围,差值不大于10μm判定为合格,若大于10μm,重新磨边直至厚度差不大于10μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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