[发明专利]化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 201610950906.9 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106625031A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 钱百年;郭毅;M·W·德格鲁特;G·C·雅各布 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02;B24B37/24;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陈哲锋,胡嘉倩 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学机械抛光方法，包括提供衬底，其中所述衬底包括氧化硅和氮化硅；提供抛光浆料；提供抛光垫，包括具有组合物的抛光层，所述组合物是多个成分的反应产物，包括多官能异氰酸酯和胺引发的多元醇固化剂；其中对所述胺引发的多元醇固化剂与所述多官能异氰酸酯的化学计量比进行选择以调节所述抛光层的去除率选择性；在抛光表面和所述衬底之间形成动态接触；将所述抛光浆料分散到在所述抛光表面和所述衬底之间的界面处或界面附近的所述抛光垫上；并且，将至少一些所述氧化硅和所述氮化硅从所述衬底上去除。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械抛光衬底的方法，包括：提供所述衬底，其中所述衬底包括氧化硅和氮化硅；提供抛光浆料，包括：水；和二氧化硅研磨剂，其中所述二氧化硅研磨剂具有在抛光pH为1至6时测得的正表面电荷；提供化学机械抛光垫，包括：具有组合物的抛光层、抛光表面和氧化硅材料与氮化硅材料之间的去除率选择性，其中所述组合物为多个成分的反应产物，包括：(a)平均每分子具有至少两个未反应的异氰酸酯(NCO)基的多官能异氰酸酯；(b)胺引发的多元醇固化剂，其中所述胺引发的多元醇固化剂每分子包含至少一个氮原子，且其中所述胺引发的多元醇固化剂平均每分子具有至少三个羟基；和(c)可选的多个微量元素；其中，对(b)的所述胺引发的多元醇固化剂中的活性氢基与(a)的所述多官能异氰酸酯中的所述至少两个未反应的异氰酸酯(NCO)基的化学计量比进行选择以调节所述去除率选择性；并且其中，(b)的所述胺引发的多元醇固化剂中的活性氢基与(a)的所述多官能异氰酸酯中的所述至少两个未反应的异氰酸酯(NCO)基的化学计量比为1.25到1.8；在所述抛光表面和所述衬底之间的界面处形成动态接触以抛光所述衬底的表面；将所述抛光浆料分散到所述抛光表面和所述衬底之间的界面处或界面附近的所述化学机械抛光垫上；并且将至少一些所述氧化硅和所述氮化硅从所述衬底上去除。
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