[发明专利]一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置

摘要

本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置。本发明电磁耦合装置包括：反应釜、电源；反应釜包括筒状的衔铁，衔铁的上口、下口分别由顶盖、底盖封住，衔铁的内壁安装有对称的两石墨电极，两侧石墨电极的相对面相平行；衔铁外壁缠绕有漆包线绕线组；衔铁内安装托架，托架用于安放硅片，硅片处于两石墨电极之间且与两石墨电极的相对面相平行，硅片将反应釜分隔成两个腔室；电源的一正负极分别与两石墨电极板电连接，电源的另一正负极还与漆包线绕线组两端电连接。本发明制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置具有操作简单、智能化程度高、生产效率高等特点，适合大规模产业化应用。

主权项

一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置，其特征是包括：反应釜（8）、电源（3），反应釜（8）包括筒状的衔铁（10），衔铁（10）的上口、下口分别由顶盖、底盖封住，衔铁（10）的内壁安装有对称的两石墨电极（9），两石墨电极（9）的相对面相平行；衔铁（10）外壁缠绕有线组（11）；衔铁内安装托架（14），托架用于安放硅片（13），硅片（13）处于两石墨电极（9）之间且与两石墨电极（9）的相对面相平行，硅片（13）将反应釜（8）分隔成两个腔室；电源（3）的正负极分别与两石墨电极板（9）电连接，电源（3）的正负极还与线组（11）两端电连接。